光学多層薄膜上の異常部の解析事例

  • 光学多層薄膜上にて確認された、突起のような異常部の発生原因について調査しました。

    ＜試料＞
    光学多層薄膜（SiO2(基板)/TiO2/SiO2/TiO2/SiO2…）
    ※SEM観察のためPtをコート済み
    ＜使用機器＞
    集束イオンビーム装置（FIB-SEM/EDS）



  • 異常部表面の元素分析
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    • 図1　異常部のEDS点分析
    • 図1　異常部のEDS点分析


    →正常部(1)と異常部(2)に明確な差異は見られず。




  • 異常部をFIBにて断面加工してSEM観察
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    • 図2　FIB加工した異常部断面のSEM観察
    • 図2　FIB加工した異常部断面のSEM観察


    →異常部の最下層に異物と空隙を発見。



  • 異常部断面の元素分析
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    • 図3　異常部断面のEDS面分析
    • 図3　異常部断面のEDS面分析


    →成膜前の基板上の異物が原因と考えられる
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  • 担当：川崎技術支援部