MOCVD法で作製したβ-FeSi2薄膜の結晶粒観察事例
- 単結晶基板上にMOCVD法で作製したβ-FeSi2膜の結晶性、結晶サイズ、膜厚を断面方向からの観察で明らかにしました。
- <使用機器>
分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)
集束イオンビーム装置(FIB)
低エネルギーイオンミリング装置(Gentle Mill)
<作業工程>
試料作製(FIB-マイクロサンプリング法) → 低エネルギーイオンミリング → TEM観察
<納期>
担当職員にお問い合わせください。
<測定例>
- 図1 β-FeSi2薄膜の明視野像
- 図2 図4のaの規則格子反射を用いた暗視野像
- 図3 図4のbの規則格子反射を用いた暗視野像
- 図4 電子線回折像[110]入射
ご利用を希望される方へ
今回のような結晶粒観察を実施した場合は、下記料金表が適用されます。観察条件および撮影枚数により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。
ご要望に応じて見積書を作成いたします。
試験計測料金
NO. | 項目 | 単位 | 料金 | 担当部名 |
---|---|---|---|---|
K1625 | TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン | 低加速ガリウムイオン仕上げ 1試料につき | 111,980 | 川崎技術支援部 |
K1425 | TEM試料調製 低エネルギーイオンミリング (ジェントルミル) | 1試料1条件につき | 13,530 | 川崎技術支援部 |
K1472 | 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)明視野像 | 明視野像 1視野につき | 17,710 | 川崎技術支援部 |
K1473 | 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)暗視野像 | 暗視野像 1視野につき | 32,230 | 川崎技術支援部 |
K1470 | 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)制限視野回折 | 制限視野回折 1視野につき | 15,730 | 川崎技術支援部 |
- この装置・試験等に関連するお問い合わせ
- 担当:川崎技術支援部