LSIコンタクトホールのTEMマッピング事例

LSIコンタクトホールの断面を観察を行い、同箇所においてTEM/EDSによる面分析（元素マップ）を行いました。

＜使用機器＞
分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）
集束イオンビーム装置（FIB）
低エネルギーイオンミリング装置（Gentle Mill）

＜作業工程＞
FIB-マイクロプロービング法による試料作製　　→　　低エネルギーイオンミリング　　→　　STEM-EDS面分析

＜納期＞
担当職員にお問い合わせください。

＜測定例＞

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ご利用を希望される方へ

今回のようなFE-TEM（分析透過電子顕微鏡）による元素マッピングを実施した場合は、下記料金表が適用されます。
観察条件および撮影枚数により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。
ご要望に応じて見積書を作成いたします。

試験計測料金

NO.	項目	単位	料金	担当部名
K1625	TEM試料調製　FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン	低加速ガリウムイオン仕上げ　１試料につき	111,980	川崎技術支援部
K1425	TEM試料調製　低エネルギーイオンミリング　（ジェントルミル）	１試料１条件につき	13,530	川崎技術支援部
K1440	電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）10万倍以下	倍率　10万倍以下　１視野につき	17,710	川崎技術支援部
K1445	電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）10万倍以下 １視野増	倍率　10万倍以下　１視野増すごとに	8,800	川崎技術支援部
K1441	電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）10万倍を超えて50万倍以下	倍率　10万倍を超えて50万倍以下　１視野につき	23,430	川崎技術支援部
K1446	電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）10万倍を超えて50万倍以下 １視野増	倍率　10万倍を超えて50万倍以下　１視野増すごとに	13,310	川崎技術支援部
K1450	電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）50万倍を超えて200万倍以下	倍率　 50万倍を超えて200万倍以下　１視野につき	32,340	川崎技術支援部
K1455	電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）50万倍を超えて200万倍以下 １視野増	倍率　 50万倍を超えて200万倍以下　１視野増すごとに	17,710	川崎技術支援部
K1451	電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）200万倍を超えるもの	倍率　200万倍を超えるもの　１視野につき	46,860	川崎技術支援部
K1456	電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）200万倍を超えるもの １視野増	倍率　200万倍を超えるもの　１視野増すごとに	27,830	川崎技術支援部
K1460	電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）試料傾斜調整	試料傾斜調整　１条件ごとに	12,210	川崎技術支援部
K1530	電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）　面分析	面分析　１視野５元素ごとに、 または２時間につき	104,170	川崎技術支援部