低エネルギーイオンミリングを用いた化合物半導体の高分解能観察例

FIBによるTEM試料作製ではGaイオンビームによるダメージ層（～20nm）が加工面に形成されてしまいます。低エネルギーイオンミリング（Arイオンビーム）でGaイオンビームのダメージ層を除去し※、化合物半導体の構造を可視化することができます。
※Arイオンビームによる数nmのダメージ層あり

<使用機器>
分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）
集束イオンビーム装置（FIB）
低エネルギーイオンミリング装置（Gentle Mill）

<測定手順>
①FIB-マイクロプロービング法による断面試料作製
   ↓
②低エネルギーイオンミリングによるダメージ層の除去
   ↓
③TEMによる断面試料の観察

※ダメージ層の除去状況により、②、③の作業を複数回行います。
①→②→③→②→③→②→③・・・・

<納期>
担当職員にお問い合わせください。

＜測定例＞

測定例１ （AlGaAs/GaAs）

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  • 図1　 AlGaAs/GaAsの仕上げ加工の比較<br>（ダメージ層を除去することで鮮明なTEM画像が得られます。）
  • 図1　 AlGaAs/GaAsの仕上げ加工の比較
    （ダメージ層を除去することで鮮明なTEM画像が得られます。）



測定例２ （GaN）

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  • 図2　 GaNの仕上げ加工の比較
  • 図2　 GaNの仕上げ加工の比較

ご利用を希望される方へ

今回のような観察を実施した場合は、下記料金表が適用されます。詳細は、ご相談願います。
観察条件および撮影枚数により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。
ご要望に応じて見積書を作成いたします。

試験計測料金

NO.項目単位料金担当部名
K1625TEM試料調製　FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン低加速ガリウムイオン仕上げ　１試料につき111,980川崎技術支援部
K1425TEM試料調製　低エネルギーイオンミリング　（ジェントルミル）１試料１条件につき13,530川崎技術支援部
K1440電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）10万倍以下倍率　10万倍以下　１視野につき17,710川崎技術支援部
K1445電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）10万倍以下 １視野増倍率　10万倍以下　１視野増すごとに8,800川崎技術支援部
K1441電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）10万倍を超えて50万倍以下倍率　10万倍を超えて50万倍以下　１視野につき23,430川崎技術支援部
K1446電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）10万倍を超えて50万倍以下 １視野増倍率　10万倍を超えて50万倍以下　１視野増すごとに13,310川崎技術支援部
K1450電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）50万倍を超えて200万倍以下倍率　 50万倍を超えて200万倍以下　１視野につき32,340川崎技術支援部
K1455電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）50万倍を超えて200万倍以下 １視野増倍率　 50万倍を超えて200万倍以下　１視野増すごとに17,710川崎技術支援部
K1451電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）200万倍を超えるもの倍率　200万倍を超えるもの　１視野につき46,860川崎技術支援部
K1456電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）200万倍を超えるもの １視野増倍率　200万倍を超えるもの　１視野増すごとに27,830川崎技術支援部
K1460電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）試料傾斜調整試料傾斜調整　１条件ごとに12,210川崎技術支援部
  • この装置・試験等に関連するお問い合わせ
  • 担当：川崎技術支援部