LSIコンタクトホールのTEMマッピング事例

LSIコンタクトホールの断面を観察を行い、同箇所においてTEM/EDSによる面分析(元素マップ)を行いました。

<使用機器>

  1. 分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS)
  2. 集束イオンビーム装置(FIB)
  3. 低エネルギーイオンミリング装置(Gentle Mill)

<作業工程>

FIB-マイクロプロービング法による試料作製  →  低エネルギーイオンミリング  →  STEM-EDS面分析

<納期>

担当職員にお問い合わせください。

測定例

STEM-EDSの定量マップの分析
STEM-EDSの定量マップの分析

ご利用を希望される方へ

このページのご紹介内容は、試験計測(依頼試験)でご利用いただけます。

観察条件および撮影枚数により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。
ご要望に応じて見積書を作成いたします。

料金表(単位欄にメーカー・型式を表記している場合:機器使用料金(特に記載がない限り単位は1時間あたり))
料金NO.項目単位(又はメーカー・型式)料金
K1625TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン低加速ガリウムイオン仕上げ 1試料につき122,100円
K1425TEM試料調製 低エネルギーイオンミリング (ジェントルミル)1試料1条件につき14,850円
K1441電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)10万倍を超えて50万倍以下倍率 10万倍を超えて50万倍以下 1視野につき25,850円
K1460電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)試料傾斜調整試料傾斜調整 1条件ごとに13,420円
K1530電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS) 面分析面分析 1視野5元素ごとに、 または2時間につき109,230円

関連リンク

  1. 【★動画でご紹介!】透過電子顕微鏡(YouTube公式チャンネル)
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  • 担当:川崎技術支援部