FE-TEM(電界放出型透過電子顕微鏡)によるLSI コンタクトホールの2方向観察
LSIに異常が確認され、断面観察よりコンタクトホール直下約50nmの箇所に微小欠陥を捉えることができました。
また、同箇所の平面観察を行い、微小欠陥を定量化しました。
<使用機器> FE-TEM/EDS(電界放出型透過電子顕微鏡)
FIB(集束イオンビーム装置)
低エネルギーイオンミリング
<納 期> 担当職員にお問い合わせください。
測定手順
・FIB-マイクロプロービング法による断面試料作製
↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
↓
・TEMによる断面観察(微小欠陥の位置を確認)
↓
・FIBによる平面試料作製
↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
↓
・ TEMによる平面観察(確認)
↓
・低エネルギーイオンミリングによる微小欠陥の抽出(複数回)
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・ TEMによる平面観察
測定例
断面TEM観察

平面TEM観察

平面TEM観察
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