FE-TEM(電界放出型透過電子顕微鏡)によるLSI コンタクトホールの2方向観察

LSIに異常が確認され、断面観察よりコンタクトホール直下約50nmの箇所に微小欠陥を捉えることができました。
また、同箇所の平面観察を行い、微小欠陥を定量化しました。

<使用機器> FE-TEM/EDS(電界放出型透過電子顕微鏡)
       FIB(集束イオンビーム装置)
       低エネルギーイオンミリング
<納  期> 担当職員にお問い合わせください。

測定手順

・FIB-マイクロプロービング法による断面試料作製
       ↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
       ↓
・TEMによる断面観察(微小欠陥の位置を確認)
       ↓
・FIBによる平面試料作製
       ↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
       ↓
・ TEMによる平面観察(確認)
       ↓
・低エネルギーイオンミリングによる微小欠陥の抽出(複数回)
       ↓
・ TEMによる平面観察

測定例

断面TEM観察

断面TEM観察
図1 断面TEM観察

平面TEM観察

平面TEM観察
図2 
平面TEM観察

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