FE-TEM（電界放出型透過電子顕微鏡）によるLSI コンタクトホールの2方向観察

LSIに異常が確認され、断面観察よりコンタクトホール直下約50nmの箇所に微小欠陥を捉えることができました。
また、同箇所の平面観察を行い、微小欠陥を定量化しました。

＜使用機器＞　FE-TEM/EDS（電界放出型透過電子顕微鏡）
　　　　　　　FIB（集束イオンビーム装置）
　　　　　　　低エネルギーイオンミリング
＜納　　期＞　担当職員にお問い合わせください。

測定手順

・FIB-マイクロプロービング法による断面試料作製
　　　　　　　↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
　　　　　　　↓
・TEMによる断面観察（微小欠陥の位置を確認）
　　　　　　　↓
・FIBによる平面試料作製
　　　　　　　↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
　　　　　　　↓
・ TEMによる平面観察（確認）
　　　　　　　↓
・低エネルギーイオンミリングによる微小欠陥の抽出（複数回）
　　　　　　　↓
・ TEMによる平面観察

測定例

断面TEM観察

平面TEM観察

ご利用を希望される方へ

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