FE-TEM（電界放出型透過電子顕微鏡）によるLSIコンタクトホールの元素マッピング

LSIコンタクトホールの断面を観察を行い、同箇所においてTEM/EDSによる面分析（元素マップ）を行いました。

＜使用機器＞　FE-TEM/EDS（電界放出型透過電子顕微鏡）
　　　　　　　FIB（集束イオンビーム装置）
　　　　　　　低エネルギーイオンミリング
＜作業工程＞　FIB-マイクロプロービング法による試料作製　　→　　低エネルギーイオンミリング　　→　　STEM-EDS面分析
＜納　　期＞　担当職員にお問い合わせください。

STEM-EDSの定量マップの分析例です。

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• 図1

ケイ素やタングステンなど特性Ｘ線の近い元素は従来のピークカウントマップでは正しい元素分布を得ることができません。
最新のソフトウェアを用いた定量マップを行なうことでサンプル本来の詳細な元素分布を得ることができます。
（分割数：256×192、Dwell time 50usec、測定時間：40min、重量マップ）

同様の事例については、 試験計測（依頼試験） でご利用いただけます。

参考料金は以下の通りです。

観察条件および撮影枚数により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。ご要望に応じて見積書を作成いたします。

詳細はお問い合わせください。

今回のFE-TEM（電界放出型透過電子顕微鏡）によるLSIコンタクトホールの元素マッピングの事例については、以下の関連ページもご参照ください。 【★動画でご紹介！】透過電子顕微鏡（YouTube公式チャンネル）