LSIコンタクトホールのTEMマッピング事例
LSIコンタクトホールの断面を観察を行い、同箇所においてTEM/EDSによる面分析（元素マップ）を行いました。
＜使用機器＞
＜作業工程＞
FIB-マイクロプロービング法による試料作製 → 低エネルギーイオンミリング → STEM-EDS面分析
＜納期＞
担当職員にお問い合わせください。
測定例
ご利用を希望される方へ
このページのご紹介内容は、試験計測（依頼試験）でご利用いただけます。
観察条件および撮影枚数により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。
ご要望に応じて見積書を作成いたします。
試験計測料金
| 料金NO. | 項目 | 単位 | 料金 |
|---|---|---|---|
| K1625 | TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン | 低加速ガリウムイオン仕上げ １試料につき | 112,090円 |
| K1425 | TEM試料調製 低エネルギーイオンミリング （ジェントルミル） | １試料１条件につき | 13,530円 |
| K1441 | 電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）10万倍を超えて50万倍以下 | 倍率 10万倍を超えて50万倍以下 １視野につき | 23,540円 |
| K1460 | 電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）試料傾斜調整 | 試料傾斜調整 １条件ごとに | 12,210円 |
| K1530 | 電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS） 面分析 | 面分析 １視野５元素ごとに、 または２時間につき | 104,390円 |
関連リンク
材料 電子材料｜技術分野 その他｜分析・試験・評価法 元素、微細構造
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- 担当：川崎技術支援部